
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (BJT) (образующий силовой канал) и полевой (MOSFET), образующий канал управления. Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других … Читать далее